北理工曾经海波AFM：调控反键态，强化金属

发布时间：2024-11-06 23:25:08 来源： 作者：

【引止】

比去多少年去，强化金属卤化铅钙钛矿（Lead Halide Perovskite，北理波LHP）半导体由于同时具备低老本的经海高温溶液法制备功能战劣秀的光电功能等劣面，正在光伏足艺战收陈昭示足艺规模受到了普遍闭注。调控仅数年时候，反键基于LHP的强化金属太阳能电池战收光南北极管效力便从最后的3%中间小大幅提降到了20%以上。可是北理波，LHP器件正在工做形态下由于场致离子迁移导致的经海质料分解、带隙修正等激发的调控器件进化问题下场却成为了LHP操做蹊径上的尾要妨碍。因此，反键若何抑制场致离子迁移去后退LHP器件的强化金属工做晃动性是古晨规模内的中间科教问题下场。

Pb²⁺离子的北理波电子构型是[Xe]4f¹⁴5d¹⁰6s²，可睹其6s轨讲上有一对于孤对于电子。经海钻研批注，调控那一孤对于电子与周围卤素离子的反键p轨讲组成的反键态可能将价带顶推下，下场是不但可能削减带隙增强光收受，而且使患上晶格缺陷随意正在能带中组成浅能级缺陷。那是LHP具备劣秀光电功能的尾要原因之一。可是，价带中反键态的存正在会削强化教键的强度，导致LHP同样艰深展现出硬晶格性量，Pb-halogen键随意正在中力熏染感动下断裂而产去世离子迁移。因此，调控那些活性反键态去抑制离子迁移概况是后退LHP器件工做晃动性的一种实用蹊径。

【图文介绍】

远日，北京理工小大教曾经海波教授（通讯做者）团队的陈喜副教授战孙智国专士（配开第一做者，现任职于安顺教院）等人正在Advanced Functional Materials上宣告文章，题为“Substantial Improvement of Operating Stability by Strengthening Metal-Halogen Bonds in Halide Perovskites”。该工做报道了操做过渡金属离子（Ni²⁺、Mn²⁺等）异化钝化Pb-halogen键的活性孤对于电子，削减Pb-halogen键的反键态，从而真现了晶格的少程强化沙场致离子迁移的赫然抑制。

起尾，做者以热注进法制备的CsPbBr₃量子面为钻研工具，操做X射线收受邃稀挨算谱、X射线衍射谱、光致收光谱等足腕证清晰明了过渡金属离子的异化位置为Pb位（图1）。荧光量子产率测试批注过渡金属离子异化对于CsPbBr₃量子面的收光功能不会产去世不良影响。而后，做者将CsPbBr₃量子面制备成横背器件，并测试了器件的变温输运功能去合计离子迁移激活能（图2）。下场批注，3d轨讲部份挖充的Ni²⁺战Mn²⁺异化可能将离子迁移激活能从0.117 eV分说提降至0.443 eV战0.439 eV，提降下场为4倍。比力魔难魔难批注，当异化离子换成3d轨讲挖谦的后过渡金属离子Zn²⁺战非过渡金属离子Bi³⁺时，那类赫然的离子迁移抑制征兆出有被不雅审核到。

为了申明那些征兆的外在机制，做者妨碍了层层深入的第一性道理合计钻研。实际合计的第一个尾要下场（图3）是收现了当卤素空地背过渡金属离子迁移时，不但系统的总能会飞腾，而且卤素空地的迁移能垒也会变小大，申明过渡金属离子对于卤素空地有倾轧熏染感动。做者感应那类倾轧熏染感动会削减卤素空地的迁移通讲战耽搁卤素空地的迁移蹊径，从而抑制离子迁移。实际合计的第两个尾要下场（图4）是操做晶体轨讲哈稀顿矩阵布居（Crystal Orbital Hamilton Population，COHP）阐收了化教键的强度，收现不但Ni-Br键战Mn-Br键强于Pb-Br键，而且Ni²⁺战Mn²⁺的引进借可能后退Pb-Br键的强度，纵然那些距离过渡金属离子较远的Pb-Br键也能患上到增强下场。那批注Ni²⁺战Mn²⁺异化对于化教键的强化熏染感动不可是局域于异化簿本周围，而是可能拓展到部份晶格，是一种少程效应。对于Zn²⁺战Bi³⁺异化，Zn-Br战Bi-Br键不但强于Pb-Br键，而且周围的 Pb-Br键要末增强下场不赫然，要末隐现不开水仄的削强，与Ni²⁺战Mn²⁺异化下场组成为了赫然比力。实际合计的第三个尾要下场（图5）是经由历程投影态稀度进一步阐收批注，Ni²⁺战Mn²⁺战Zn²⁺战Bi³⁺异化下场的好异去自于不开的轨讲相互熏染感动。对于Ni²⁺战Mn²⁺，它们部份挖充的3d轨讲与Pb 4s战Br 4p轨讲存正在交叠，即3d轨讲战Pb 6s-Br 4p反键态有杂化征兆。做者感应那类杂化熏染感动有利于Pb-Br八里体中的孤对于电子经由历程配位效应转移到空的3d轨讲上，从而钝化那些孤对于电子，削减了反键态，进而提降了周围Pb-Br键的强度。那是魔难魔难上Ni²⁺战Mn²⁺异化能提降离子迁移能垒的原因。对于Zn²⁺，由于它的3d轨讲齐数被电子占有，Zn 3d轨讲处于深能级位置，不能与费米里周围的Pb 6s-Br 4p反键态产去世相互熏染感动，也便不能实用强化Pb-Br键。对于Bi³⁺，它的电子构型与Pb²⁺残缺同样，正在6s轨讲有一对于孤对于电子，以是Bi³⁺的引进反而会删减价带中的反键态，那可能从强的Bi-Br键战被削强的Pb-Br键看进来。那些是Zn²⁺战Bi³⁺异化不能实用抑制离子迁移的原因。

最后，做者正在异化卤素CsPbBr_1.5I_1.5钙钛矿中进一步演示了Ni²⁺异化抑制离子迁移、提降工做晃动性的下场（图6）。钻研收现，正在中减电场的延绝熏染感动下，已经异化的CsPbBr_1.5I_1.5钙钛矿隐现了赫然的收光峰位劈裂的征兆，而且伴同着收光光谱赫然变宽，批注由于离子迁移隐现了宽峻的卤素偏偏析。当引进Ni²⁺离子后，可能看到峰位劈裂战光谱变宽的征兆被小大小大抑制。操做CIE坐标合计的下场批注，Ni²⁺的引进可能6倍削强CsPbBr_1.5I_1.5的场致收光颜色修正。那些下场讲明了Ni²⁺异化可能实用提降异化卤素CsPbBr_1.5I_1.5钙钛矿的工做晃动性。

【小结】

该工做操做3d轨讲部份挖充的过渡金属离子异化赫然抑制了场致离子迁移，提降了钙钛矿横背器件正在中电场熏染感动下的工做晃动性。从卤化钙钛矿晶格正在中场熏染感动下不晃动的根去历根基果动身，经由历程魔难魔难战第一性道理合计相散漫的格式，讲明了离子迁移被抑制的外在机制，即过渡金属离子已经挖充的3d轨讲经由历程配位效应钝化了Pb-halogen键中的活性孤对于电子，削减了价带中的反键态，使钙钛矿晶格患上到了少程强化下场。那些钻研功能有助于深入清晰现有的异化增强卤化钙钛矿晃动性的外在机制，并为进一步提降LHP光电器件的工做晃动性提供实用策略。

图1 热注进法分解的CsPb_1-xNi_xBr₃量子面的低倍战下分讲透射电子隐微镜图像：a x = 0，b x = 0.0275。c 不开Ni异化量的CsPb_1-xNi_xBr₃量子面的X射线衍射谱。d Ni的K边X射线邃稀挨算谱。e 不开Ni异化量的CsPb_1-xNi_xBr₃量子面的光致收光谱。f 不开Ni异化量的CsPb_1-xNi_xBr₃量子面的荧光量子产率。

图2 CsPbBr₃横背器件的变温电输运测试下场：a Ni异化，b Mn异化，c Zn异化，d Bi异化。经由历程变温电输运测试患上到的激活能数据：e 离子迁移激活能，f 电子（或者空穴）迁移激活能。

图3 a Ni异化的坐圆相CsPbBr₃ 3 × 3 × 3超胞，用于第一性道理合计模拟离子迁移。b 已经异化战Ni异化情景下，Br空地迁移蹊径上的能量扩散情景。c Ni对于Br空地迁移倾轧熏染感动的唯像示诡计。

图4 a 金属离子异化的坐圆相CsPbBr₃ 3 × 3 × 3超胞，下超隐现了三个不等价的Pb-Br八里体，战那些八里体中不等价的Pb-Br键，用于COHP阐收。b 做为代表，提醉了Ni异化情景下Ni-Br键战Pb₁-Br八里体化教键的态稀度战-pCOHP图。c 吸应化教键的键少战IpCOHP值。

图5 投影态稀度阐收：a 已经异化，b Mn异化，c Ni异化，d Zn异化，e Bi异化。

图6 异化卤素CsPb_1-xNi_xBr_1.5I_1.5横背器件正在中减电场延绝熏染感动下，光致收光谱随时候的修正：a x = 0, b x = 0.0157, c x = 0.0289。d 光致收光谱中对于应收光峰位随时候的修正趋向。e CIE坐标随时候的修正趋向。

文献链接：Xi Chen, Zhiguo Sun, Bo Cai, Xiaoming Li, Shihua Zhang, Di Fu, Yousheng Zou, Zhiyong Fan, and Haibo Zeng. Substantial Improvement of Operating Stability by Strengthening Metal-Halogen Bonds in Halide Perovskites. Advanced Functional Materials, 2022, 2112129.

https://doi.org/10.1002/adfm.202112129

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